北京华泱科技有限公司
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NTJD4001NT1G ON Semiconductor (安森美) MOS管
产品信息
技术参数
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额定电压(DC)
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30.0 V
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额定电流
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250 mA
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漏源极电阻
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1.50 Ω
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极性
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Dual N-Channel
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耗散功率
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0.272(W)
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漏源极电压(Vds)
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30.0 V
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漏源击穿电压
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30.0 V
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栅源击穿电压
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-20.0 V to 20.0 V
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连续漏极电流(Ids)
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250 mA
封装参数
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安装方式
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Surface Mount
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引脚数
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6
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封装
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SOT-363
其他
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产品生命周期
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Active
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包装方式
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Cut Tape (CT)
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制造应用
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Power Management, Industrial, 电源管理, 工业, 车用, Automotive
符合标准
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RoHS标准
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Compliant
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含铅标准
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Lead Free
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REACH SVHC标准
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No SVHC
询价