SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor (威世) MOS管场效应管

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SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor (威世) MOS管场效应管

SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor (威世) MOS管场效应管

型号/规格：

SI4435DDY-T1-GE3

品牌/商标：

Vishay（威世）

封装形式：

SOIC-8

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

询价

产品信息

技术参数

极性

P-Channel

耗散功率

2.50 W

漏源极电压(Vds)

-30.0 V

连续漏极电流(Ids)

-8.10 A

封装参数

引脚数

封装

SOIC N

外形尺寸

封装

SOIC N

其他

包装方式

Cut Tape (CT)

制造应用

电源管理, 消费电子产品, Consumer Electronics, Power Management

符合标准

RoHS标准

Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

产品概述

VISHAY SI4435DDY-T1-GE3 场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -8.1A, SOIC-8, 整卷

The SI4435DDY-T1-GE3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

.: Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

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